Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFBC40APBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40AS | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40ASPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 464 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40ASTRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40ASTRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40ASTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40LC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 20,090 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40LCSPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 2,336 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE20 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE20PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 776 | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE30L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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