Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF9520STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,192 | MOSFET P-Chan 100V 6.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9520STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 100V 6.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9530 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9530PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 26,020 | MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9530S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 100V 12 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9530SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 3,941 | MOSFET P-Chan 100V 12 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9530STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 100V 12 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9530STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 383 | MOSFET P-Chan 100V 12 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9530STRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 100V 12 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9530STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET P-Chan 100V 12 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9540 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9540PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 16,937 | MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9540S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 100V 19 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9540SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 457 | MOSFET P-Chan 100V 19 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9540STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 100V 19 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9540STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 9,509 | MOSFET P-Chan 100V 19 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9540STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263AB | MOSFET P-Chan 100V 19 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9610 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9610PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 12,401 | MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRF9610S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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