Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF730STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF734PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：450 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF737LC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 300V 6.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF737LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 300V 6.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740 | Vishay/Siliconix | TO-220 | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF740A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740AL | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740ALPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | 990 | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740APBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 966 | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740AS | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740ASPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,862 | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740ASTRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740ASTRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740ASTRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740ASTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740BPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 1,373 | MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：60... | ||||||
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IRF740L | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF740LC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 2,578 | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF740LCS | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 33 V，漏... | ||||||
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