Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF720LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF720PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,479 | MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF720S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF720SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF720STRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK | MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF720STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF730 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF730A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ALPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 470 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730AS | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ASPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 1,641 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ASTRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ASTRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ASTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 36,753 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF730S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF730SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF730STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF730STRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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