Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRLR120TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLU014 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLU014PBF | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLU024 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLU024PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 2,929 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLU110 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLU110PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 7,187 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLU120PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLZ14 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14L | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 8,804 | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,813 | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 6,333 | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24L | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,590 | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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