Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRLR014TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR014TRLPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR014TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,780 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 8,470 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 9,124 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR110 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 13,577 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 11,294 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,780 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 3,663 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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