Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRL630STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 6,208 | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,265 | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 391 | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLD014 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLD024 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLD110 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLD120 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI520G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI520GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI530G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI530GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 2,941 | MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI540G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI620G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI620GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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