Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SUB75P05-08 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 55V 75A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB75P05-08-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 55V 75A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N02-03 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 20V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SUB85N02-03-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 20V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SUB85N02-06 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 20V 85A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SUB85N02-06-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 20V 85A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SUB85N03-04P | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 85A 166W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N03-04P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 85A 166W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N03-07P | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 85A 107W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N03-07P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 85A 107W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N04-03 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N04-03-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N04-04 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N04-04-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N06-05 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N06-05-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N08-08 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 75V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N08-08-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 75V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB85N10-10 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 100V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUB85N10-10-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 100V 85A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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