Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRL530STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 6,961 | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 257 | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 750 | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,067 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,823 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 130 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 983 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 3,100 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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