Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIZ700DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SIZ702DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 77 | MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SIZ704DT-GE3，... | ||||||
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SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 17,327 | MOSFET 20V 16A / 35A N-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：16 A, 35 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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SIZ728DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SiZ730DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 175 | MOSFET 30V 16/35A 27/48W 9.3/3.9mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：12.9 A, 26.... | ||||||
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SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：16 A, 40 A，电... | ||||||
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SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | 24,244 | MOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 40A 100W 7.1mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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BS107 | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 200V 0.12A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极连续电流：0.12 A... | ||||||
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BS170KL-TR1 | Vishay/Siliconix | TO-92-3 | MOSFET 60V 0.47A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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BS170KL-TR1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-92-3 | MOSFET 60V 0.47A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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BS250 | Vishay/Siliconix | TO-92-3 | MOSFET 45V 0.18A 0.83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：45 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极连续电流：0.18 A，... | ||||||
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BS250KL-TR1 | Vishay/Siliconix | TO-92-3 | MOSFET 60V 0.27A 0.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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BS250KL-TR1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-92-18RM | MOSFET 60V 0.27A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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