Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIE810DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE812DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 40V 60A 125W 2.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE812DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | 325 | MOSFET 40V 163A 125W 2.6mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE816DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE816DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE818DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 70V 60A 125W 9.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE818DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 75V 79A 125W 9.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE820DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 20V 50A 104W 3.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE820DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | 730 | MOSFET 20V 136A 104W 3.5mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE822DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 20V 50A 104W 3.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE822DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | 1,678 | MOSFET 20V 138A 104W 3.4mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE830DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 30V 50A 104W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE830DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE832DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 40V 50A 104W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE832DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 40V 103A 104W 5.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE836DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（SH） | MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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SIE836DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（SH） | MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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SIE844DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（U） | MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE844DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（U） | MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE848DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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