Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7956DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 3,000 | MOSFET DUAL N-CH 150V (D-S) | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7956DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7958DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7958DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7960DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7960DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET Dual N-Ch 60V 21mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7962DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7962DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7964DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7964DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 60V 9.6A 3.5W 23mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7970DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 10.2A 3.5W 19mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7973DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 12.8A 1.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7973DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7980DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 20V 8.0A 19.8/21.9W 22/15mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7980DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 10 | MOSFET 20/20V 8.0/17A 22/15mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7983DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7983DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 20V 12A 3.5W 17mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7994DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 30V 60A 46W 5.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7997DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 17,402 | MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 60 A，电阻... | ||||||
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SI7998DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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