Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7898DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 4.8A 5.0W 85mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7900AEDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 9,000 | MOSFET 20V 8.5A 1.5W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7900AEDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7901EDN-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20V 6.3A 1.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7901EDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7901EDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7904BDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7904BDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET Dual P-Ch 20V 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7904DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 20V N-CH | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7904DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 20V 7.7A 2.8W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7905DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7905DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7909DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 12V 7.7A 2.8W 37mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7909DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 12V 7.7A 2.8W 37mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7911DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7911DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 20V 5.7A 2.5W 51mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7913DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 2,876 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7913DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 3,000 | MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7922DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 2,990 | MOSFET DUAL N-CH 100V (D-S) | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7922DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 38 | MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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