Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7872DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 30V 10A 3.5W 22mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V, +... | ||||||
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SI7880ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6,000 | MOSFET 30V 40A 83W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7880ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7882DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 22A 1.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7882DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7882DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7884BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 58A 46W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7884DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 20A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7884DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 20A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7886ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 4.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7886ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 4.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7888DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7888DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7892ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7892BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6,000 | MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7892BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 1,581 | MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7894ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 25A 1.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7894ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7898DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 4.8A 0.085Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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