Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7856ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7858ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7858ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7860ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7860ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7860DP-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET N-Ch 30V 18A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7860DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7860DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7860DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7862ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7862ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7864ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7864ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7866ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 0.0024Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7866ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 83W 2.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7866DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SI7868ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7868ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7872DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 10A 1.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V, +... | ||||||
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SI7872DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 30V 10A 0.022Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V, +... | ||||||
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