Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SUB50N03-20C | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 30V 50A 83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SUB50P05-13LT | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 55V 50A 200W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10... | ||||||
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SUB60N04-15LT | Vishay/Siliconix | D2PAK | MOSFET 40V 60A 110W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SUB60N06-18 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 60A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB60N06-18-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 60A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB65P04-15 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 65A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB65P04-15-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 65A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB65P06-20 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 65A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB65P06-20-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 65A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB70N03-09BP | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 70A 93W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB70N03-09BP-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 70A 93W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB70N03-09P | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 70A 93W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB70N03-09P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 70A 93W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB70N04-10 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 70A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB70N04-10-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 70A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB70N06-14 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 70A 142W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB70N06-14-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 70A 142W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB75N03-04 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 75A 187W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB75N03-04-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 75A 187W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB75N04-05L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 75A 250W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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