Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7540DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET N-and P-CHANNEL 30V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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SI7540DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET N/P-Ch MOSFET 12V 17/32mohomS@4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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SI7601DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7606DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 125V 14.5A 52W 108mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：125 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7611DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 40V 18A 39W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI7613DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 52,950 | MOSFET 20V 35A 52.1W 8.7mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 170 | MOSFET -20V 4.4mOhm@10V 35A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 35 A，电阻汲... | ||||||
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SI7615DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,844 | MOSFET 20V 35A 52W 3.9mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SI7617DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 241,363 | MOSFET 30V 35A 52W 12.3mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，... | ||||||
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SI7620DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 150V 13A 5.2W 126mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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SI7623DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET -20V 3.8mOhm@10V 35A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续... | ||||||
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SI7625DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,600 | MOSFET -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 3 A，电阻汲... | ||||||
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SI7629DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 20,800 | MOSFET 20V 35A 52W | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：- 35 A，电阻... | ||||||
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SI7633DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 60A 104W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI7634BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 48W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7634BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 744 | MOSFET 30V 40A 48W 5.4mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7634DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 40A 48W 5.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7635DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 54W 4.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，封装形式：PowerPAK SO-8，包装形式：Reel，零件号别名：SI7635DP-GE3，... | ||||||
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SI7636DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 28A 0.004Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7636DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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