Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7457DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7457DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7459DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SI7459DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SI7460DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 18A 5.4W 9.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7460DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 18A 5.4W 9.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7461DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 60V 14.4A 1.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7461DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7461DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7462DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7462DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7463DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7463DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7464DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7464DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7465DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 56,763 | MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7465DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6,244 | MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7469DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7469DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7476DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 25A 5.4W 5.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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