Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7446DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 19A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7446DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 19A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7447ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 83.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SI7447ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 83.3W 6.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SI7448DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 22A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7448DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 22A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7448DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 22A 5.2W 6.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7450DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 200V 5.3A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7450DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 5.3A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7450DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 5.3A 5.2W 80mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7452DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 19.3A 1.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7452DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7454DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 100V 7.8A 4.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7454DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 17,981 | MOSFET 100V 7.8A 4.8W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7454DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 7.8A 4.8W 34mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7455DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 28A 83.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7455DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 28A 83.3W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7456DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 100V 9.3A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7456DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 9.3A 5.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7456DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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