Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SUP90N03-03-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 30V 90A 187W 2.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP90N04-3M3P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SUP90N06-05L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP90N06-5M0P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 60V 90A 300W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP90N06-6M0P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 348 | MOSFET 60V 90A 272W 6.0mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP90N08-4M8P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 75V 90A 300W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP90N08-6M8P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 75V 90A 272W 6.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP90N08-7M7P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 75V 90A 208.3W 7.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP90N08-8M2P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 75V 90A 150W 8.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP90N10-8M8P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 90A 300W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP90N15-18P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 150V 90A 375W 18mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP90P06-09L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 6,628 | MOSFET 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SUB15P01-52 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 8V 15A 25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SUB15P01-52-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 8V 15A 25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SUB40N06-25L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 40A 3.7W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB40N06-25L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 40A 3.7W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB45N03-13L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 45A 88W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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SUB45N03-13L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | 139 | MOSFET 30V 45A 88W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB45N05-20L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 50V 45A 93W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUB45N05-20L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 50V 45A 93W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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