Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7358ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 23A 5.4W 4.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7366DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7366DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7368DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 1.7W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7368DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7370ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：SI7370ADP-GE3，... | ||||||
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SI7370DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 15.8A 0.011Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7370DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 15.8A 5.2W 11mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7374DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7374DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7380ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7380ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7382DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7382DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7384DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7384DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7386DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3,096 | MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7386DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 32,978 | MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7388DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7388DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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