Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7272DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 30V 25A 22W 9.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7288DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 138,791 | MOSFET 40V 20A DUAL N-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
|
SI7308DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3,000 | MOSFET 60V 6.0A 19.8W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI7308DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 60V 6.0A 19.8W 58mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7309DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,348 | MOSFET 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI7309DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7322DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,932 | MOSFET 100V 18A 52W 58mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SI7322DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 18A 52W 58mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI7326DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 10A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7326DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,165 | MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7328DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 52W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI7328DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI7336ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 24,778 | MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 82,150 | MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI7336DP-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 30A 5.4W 3.25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
SI7342DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 15A 5.0W 8.25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI7344DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 17A 4.1W 8.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7356ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7356ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI7358ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 23A 5.4W 4.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
138/219 首页 上页 [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] 下页 尾页
