Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7214DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) HIGH EFFICIENCY | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7214DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7216DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7216DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 40V 32mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7218DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 30V 24A 23W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7218DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7220DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7220DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 4,998 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 60mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7222DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 40V 6.0/5.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7222DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 40V 6.0A 17.8W 42mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7224DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 30V 6.0A 17.8/23W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V, +... | ||||||
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SI7224DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET Dual Asym N-Ch 30V 35/28mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V, +... | ||||||
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SI7228DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 30V 26A 23W 20mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7230DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 14A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7230DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7232DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 20V 25A 23W 16.4mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7234DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 19,099 | MOSFET 12V 60A 46W 3.4mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7236DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 20V 60A 46W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7236DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 20V 60A 46W 5.2mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7252DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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