Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7149DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 41,368 | MOSFET 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SI7156DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 50A 83W 3.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7156DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 50A 83W 3.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7159DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 30A 83W 7.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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SI7160DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 27.7W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7160DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 27.7W 8.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7164DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 4,317 | MOSFET 60V 60A 104W 6.25mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7170DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 48W 3.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：28.5 A，电阻汲极/... | ||||||
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SI7172DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 25A 96W 70mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7174DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3,900 | MOSFET 75V 60A 104W 7.0mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7178DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 13,500 | MOSFET 100V 60A 104W 14mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7186DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 32A 64W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7186DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 32A 64W 12.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7190DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 250V 18.4A 96W 118mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7192DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7194DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 60A 83W 2.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7196DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16A 41.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7196DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16A 41.6W 1.1mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7212DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 66 | MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) FAST SWITCHING | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7212DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 30V 6.8A 2.6W 36mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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