Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7106DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 88,055 | MOSFET 20V 19.5A 0.0062Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7106DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 990 | MOSFET 20V 19.5A 3.8W 6.2mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7107DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 15.3A 3.8W 10.8mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7107DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 15.3A 3.8W 10.8mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7108DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 17,800 | MOSFET 20V 22A 0.0049Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7108DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 41,979 | MOSFET 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI7110DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7110DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7112DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7112DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,995 | MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7113DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 60 | MOSFET 100V 13.2A 52W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7113DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7114ADN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 24,972 | MOSFET 30V 35A 39W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7114DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 13,385 | MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7114DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7115DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 20,590 | MOSFET 150V 8.9A 52W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7115DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 293 | MOSFET 150V 8.9A 52W 295mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7116DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 9,750 | MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7116DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7117DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3,000 | MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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