Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI8401DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI8401DB-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI8422DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | MOSFET 20V 7.3A 2.77W | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.3 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SI8435DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 20V 10A 6.25W 41mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏... | ||||||
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SI8439DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET -8V 9.2A 2.7W 25mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：- 0.8 V，漏极... | ||||||
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SI8424CDB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA，WLCSP | MOSFET 8V 10A 2.7W 20mOhms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：0.8 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI8424DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W 31mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SI8425DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-WLCSP（1.6x1.6） | MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：- 0.9 V，漏... | ||||||
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SI8429DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | 32,055 | MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极... | ||||||
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SI8413DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 6.5A 2.77W 48mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI8415DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 12V 7.3A 2.77W 37mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI8416DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-UFBGA | 10,112 | MOSFET 8V 16A 13W 23mOhms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：0.8 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI8417DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | MOSFET 12V 14.5A 6.57W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI8419DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | Micro Foot-4 | MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极... | ||||||
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SI7100DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI7100DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI7102DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A 52W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7102DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7104DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI7104DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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