Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI5476DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI5476DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | 9,664 | MOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5479DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK-8 ChipFET Single | MOSFET 12V 16.9A 7.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI5479DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 12V 16.9A 17.8W 21mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI5480DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 30V 12A 31W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5480DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 30V 12A 31W 16mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5481DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 17.8W 22mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI5481DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 17.8W 22mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI5482DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 30V 12A 31W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5482DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 30V 12A 31W 15mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5484DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 31W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5484DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 31W 16mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5485DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5485DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI5486DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 31W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI5486DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 31W 15mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
SI5499DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 6.0A 6.2W 36mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI5499DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 8.0V 6.0A 6.2W 36mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI5504BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 18,077 | MOSFET 30V 4.0/3.7A | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI5504DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 3.9/2.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
131/219 首页 上页 [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] 下页 尾页
