Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI5441BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI5441BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI5441DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 5.3A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5441DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 5.3A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5441DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 5.3A 2.5W 55mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5443DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 4.9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5443DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 4.9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5443DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5445BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 8.0 Volt 7.1 Amp 2.1 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI5445BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 8.0V 7.1A 2.5W 33mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI5445DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 8V 7.1A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI5445DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 8V 7.1A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI5447DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 4.8A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI5447DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 4.8A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI5447DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.8A 2.5W 76mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI5449DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 4.3A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5449DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 4.3A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5449DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 4.3A 2.5W 85mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI5456DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 12A 31W 10mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI5457DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 6A 5.7W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SI5457DC-GE3，... | ||||||
129/219 首页 上页 [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] 下页 尾页
