Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI5975DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 4.1A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5975DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 12V 4.1A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5980DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI5997DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI5999EDU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 6 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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SI5401DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 7.1A 2.5W 32mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5401DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 7.1A 2.5W 32mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5402BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5402BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5402DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 6.7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5402DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5402DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5402DC-T2 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5402DC-T3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5403DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI5404BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 1 | MOSFET 20 Volt 7.5 Amp 2.5W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5404BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 7.5A 2.5W 28mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5404DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 7.2A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5404DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 7.2A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5406CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 12V 6.0A 5.7W 20mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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