Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI5853DDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5855CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5855DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.6A 2.1W 110mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5856DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5857DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 6.0A 10.4W 58mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5857DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 6.0A 10.4W 58mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5858DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 6.0A 8.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5858DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5902BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 2,183 | MOSFET 30V 4.0A 3.12W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 754 | MOSFET 30V 4.0A 3.12W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5902DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 3.9A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5902DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 30V 3.9A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5903DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 2.9A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5903DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 2.9A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5904DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 4.2A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5904DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.2A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5905BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 4.0A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI5905DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 8V 4.1A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI5905DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8V 4.1A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI5906DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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