Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIJ400DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 32A 69.4W 4.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SIJ400DP-GE3，... | ||||||
|
|
SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：2.7 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
SIJ800DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI9400DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 2.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.5 A，电... | ||||||
|
|
SI9407AEY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.5 A，电... | ||||||
|
|
SI9407AEY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI9407AEY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI9407AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI9407AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3.0W 120mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 6,132 | MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 35,282 | MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI9410BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8.1A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI9410BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.1A 0.024Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI9410BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.1A 2.5W 24mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI9420DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 1A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1 A，电阻... | ||||||
|
|
SI9422DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 1.7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.7 A，... | ||||||
|
SI9424BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 0.025Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 9 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI9424BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 9 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI9428DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极... | ||||||
|
|
SI9430DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5.8A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.8 A，电... | ||||||
122/219 首页 上页 [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] 下页 尾页
