Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SiHG17N60D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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SIHG20N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 8,128 | MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
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SIHG22N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 500V 22A 312W 230mOhm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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SIHG22N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 500V 230mOhm@10V 22A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SiHG22N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHG22N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 480 | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHG22N60S-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-247 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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SiHG24N65E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Channel 650V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHG24N65E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHG25N40D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 500 | MOSFET 450V 25A 278W .17ohms @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SiHG25N40D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 230 | MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
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SiHG30N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Channel 600V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHG30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 539 | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：29 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHG32N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 500V 32A 390W 150mOhm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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SiHG32N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | 504 | MOSFET 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
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SiHG460B-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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SiHG47N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 500 | MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHG47N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHG47N60S-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | 466 | MOSFET N-CHANNEL 600V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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