Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI9942DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 3/2.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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SI9945AEY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.7 A，电... | ||||||
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SI9945AEY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9945AEY-T1 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9945AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9945AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9948AEY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.6 A，电... | ||||||
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SI9948AEY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.6 A，电... | ||||||
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SI9948AEY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9948AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9948AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W 170mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9953DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 2.3A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.3 A，电... | ||||||
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SI9956DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 3.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.5 A，电... | ||||||
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SI9958DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 3.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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SI8900EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 10-Micro Foot? CSP（2x5） | MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI8902EDB-T2 | Vishay/Siliconix | Micro Foot-6 | MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI8902EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（2.36x1.56） | MOSFET 20V 5.0A 1.7W 45mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI8904EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（2.36x1.56） | MOSFET 30V 4.9A 1.7W 45mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI8402DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 20V 6.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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