Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI9925DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5A 5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9926ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET NCH DUAL MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：4.8 A，电... | ||||||
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SI9926ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET NCh Dual MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：4.8 A，电... | ||||||
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SI9926ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20 Volt 6.0 Amp 2.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9926BDY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET NCH DUAL MOSFET 2.5V (G-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：6.2 A，电... | ||||||
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SI9926BDY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：6.2 A，电... | ||||||
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SI9926BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20 Volt 8.2 Amp 2.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9926BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.2A 2.0W 20mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9926CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 9,862 | MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 37,060 | MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9928DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5/3.4A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：5... | ||||||
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SI9933BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET -20V P-CHAN | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9933BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9933CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 10,806 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 8,362 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9934BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 2.5V (G-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI9934BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 6.4A 2.0W 35mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI9936BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.0A 0.035Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9936BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9939DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 3.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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