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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源,也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。
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SIA912DJ-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK SC-70-6 Dual MOSFET 12V 4.5A 6.5W
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:12 V,闸/源击穿电压:+/- 8 V,漏极连...
点击查看SIA912DJ-T1-GE3参考图片 SIA912DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET 12V 4.5A 6.5W 40mohm @ 4.5V
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:12 V,闸/源击穿电压:+/- 8 V,漏极连...
点击查看SIA913ADJ-T1-GE3参考图片 SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 12,000 MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:12 V,闸/源击穿电压:+/- 8 V,漏极连...
点击查看SIA913DJ-T1-GE3参考图片 SIA913DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET 12V 4.5A 6.5W 70mohm @ 4.5V
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:12 V,闸/源击穿电压:+/- 8 V,漏极连...
点击查看SIA914DJ-T1-E3参考图片 SIA914DJ-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S)
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:20 V,闸/源击穿电压:+/- 8 V,漏极连...
点击查看SIA914DJ-T1-GE3参考图片 SIA914DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:20 V,闸/源击穿电压:+/- 8 V,漏极连...
点击查看SIA915DJ-T1-GE3参考图片 SIA915DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:- 30 V,闸/源击穿电压:+/- 20 V,...
点击查看SIA917DJ-T1-E3参考图片 SIA917DJ-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK SC-70-6 Dual MOSFET 20V 4.5A 6.5W
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:20 V,闸/源击穿电压:+/- 12 V,漏极...
点击查看SIA917DJ-T1-GE3参考图片 SIA917DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET 20V 4.5A 6.5W 110mohm @ 4.5V
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:20 V,闸/源击穿电压:+/- 12 V,漏极...
点击查看SIA920DJ-T1-GE3参考图片 SIA920DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET 8V 4.5A 7.8W 27mOhms @ 4.5V
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:8 V,闸/源击穿电压:+/- 5 V,漏极连续...
点击查看SIA921EDJ-T1-GE3参考图片 SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 5,882 MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:- 20 V,闸/源击穿电压:+/- 12 V,...
点击查看SIA923EDJ-T1-GE3参考图片 SIA923EDJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 2,940 MOSFET -20V 54mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
参数:制造商:Vishay,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:- 20 V,闸/源击穿电压:8 V,漏极连续电流:- 4.5 A,电阻...
点击查看SIA929DJ-T1-GE3参考图片 SIA929DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:- 30 V,闸/源击穿电压:12 V,漏极连续...
点击查看SIA950DJ-T1-GE3参考图片 SIA950DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET 190V 0.95A 7.0W 3.8ohm @ 4.5V
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:190 V,闸/源击穿电压:+/- 16 V,漏...
点击查看SIA975DJ-T1-GE3参考图片 SIA975DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
参数:制造商:Vishay,RoHS:是,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:- 12 V,闸/源击穿电压:8 V,漏极连续电流:- 4.5 A,电阻...
SI9801DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 20V 4.5/4A 2W
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,晶体管极性:N and P-Channel,汲极/源极击穿电压:20 V,闸/源击穿电压:+/- 14 V,漏极连续电流:4...
SI9802DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 20V 4.5A 2W
参数:制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:否,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:20 V,闸/源击穿电压:+/- 12 V,漏极...
SI9803DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 25V 5.9A 2.5W
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,晶体管极性:P-Channel,汲极/源极击穿电压:25 V,闸/源击穿电压:+/- 12 V,漏极连续电流:5.9 A,电...
SI9804DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 25V 7.8A 2.5W
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:25 V,闸/源击穿电压:+/- 12 V,漏极连续电流:7.8 A,电...
SI9806DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 25V 7/1.8 2.5W
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:25 V,闸/源击穿电压:+/- 12 V,漏极连续电流:7 A,电阻汲...

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