Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIA411DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA411DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA413DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 12V 12A 19W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 19,381 | MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA414DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 8.0V 12A 19W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 27,304 | MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SIA415DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 20V 12A 19W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIA416DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 8,397 | MOSFET 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：3 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIA417DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 8.0V 12A 19W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SIA417DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 8.0V 12A 19W 23mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.4 V，漏极连续电... | ||||||
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SIA419DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 20V 12A 19W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连... | ||||||
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SIA419DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连... | ||||||
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SIA421DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 30V 12A 19W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 26,267 | MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SIA426DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 5,868 | MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流：- 12 A，电阻汲极... | ||||||
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SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET P-Channel 20 V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 12 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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