Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI1032X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1032X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1032X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89，SOT-490 | 7,380 | MOSFET 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1031R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 20V 0.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1031R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 0.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1031R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 21,568 | MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1031X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1031X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 0.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1031X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1035X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-6 | MOSFET 20V 0.2/0.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI1035X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.2/0.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI1035X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 7,798 | MOSFET 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI1034X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-6 | MOSFET 20V 0.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连... | ||||||
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SI1034X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连... | ||||||
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SI1034X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 5,914 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连... | ||||||
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SI2601DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 20V 19mohm @ 4.5V | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：SI2601DN-GE3，... | ||||||
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SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 173,023 | MOSFET 30V 12A 19.2W 19mOhms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIA406DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA408DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 30V 4.5A 17.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIA408DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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