Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI2304DS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 30V 2.5A 1.25 | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.5 A，电... | ||||||
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SI2305ADS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI2305ADS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 291 | MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI2305DS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3 | MOSFET 8V 3.5A 1.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI2305DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 8V 3.5A 1.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI2305DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3 | MOSFET 8.0V 3.5A 1.25W 52mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI2306BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V 4.0A 0.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2306BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 472 | MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2306DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 30V 3.5A 1.25 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2306DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 30V 3.5A 1.25 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2307BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 3.2A 1.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2307BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2307CDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 12,522 | MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 55,038 | MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2307DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 30V 3.0A 1.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2307DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 30V 3.0A 1.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2308BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 712 | MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 17 | MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2308DS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3 | MOSFET 60V 2.0A 1.25 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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