Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI1912EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.28A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1912EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.28A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1913DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1913EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.0A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1913EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.0A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1917EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 10V 1.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1917EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 10V 1.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1926DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | 35,429 | MOSFET 60V 0.37A 0.51W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1958DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1965DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1965DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1967DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | 23,998 | MOSFET 20V 1.3A 1.25W 490mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1967DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.3A DUAL P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：1.3 A，电阻... | ||||||
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SI1970DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1972DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1988DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2300DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V 3.6A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：3.6 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.... | ||||||
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SI2301ADS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 20V 2.0A 0.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2301ADS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 20V 2.0A 0.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2301BDS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 2.4A 0.7W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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