| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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IRLD024PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
11,647 |
MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... |
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IRLD110PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
405 |
MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... |
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IRLD120PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
7,080 |
MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... |
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IRF730BPBF |
Vishay Semiconductors |
TO-220-3 |
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MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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IRFC120B |
Vishay Semiconductors |
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MOSFET N-Ch 100volts |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，包装形式：Bulk，... |
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IRFC9120B |
Vishay Semiconductors |
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MOSFET P-Ch 100volts |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，包装形式：Bulk，... |
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IRFD010PBF |
Vishay Semiconductors |
4-HVMDIP |
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MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：1.7 A，电阻汲极/源... |
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IRFD014PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
819 |
MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFD020PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
6,933 |
MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFD024PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
|
MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFD110 |
Vishay Semiconductors |
4-HVMDIP |
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MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD110PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
30,752 |
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD120 |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
|
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD120PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
12,281 |
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD123PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
7,400 |
MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD210PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
14,208 |
MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD214PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
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MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD220PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
5,125 |
MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD224PBF |
Vishay Semiconductors |
4-HVMDIP |
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MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFD310PBF |
Vishay Semiconductors |
4-DIP（0.300"，7.62mm） |
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MOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
