| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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2SJ334(F,T) |
Toshiba |
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MOSFET MOSFET P-Ch 60V 30A Rdson 0.038 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tray，工厂包装数量：50，... |
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2SJ349(F,T) |
Toshiba |
TO-220 NIS |
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MOSFET MOSFET P-Ch 60V 20A Rdson 0.045 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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2SJ360(F) |
Toshiba |
TO-243AA |
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MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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2SJ377 |
Toshiba |
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MOSFET INCORRECT MOUSER P/N Rdson 0.19 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，... |
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2SJ377(TE16L1,NQ) |
Toshiba |
PW-MINI |
3000 |
MOSFET P-Ch 60V 5A Rdson 0.19 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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2SJ401(TE24L,Q) |
Toshiba |
TO-220 FL |
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MOSFET MOSFET P-Ch 60V 20A Rdson=0.045Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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2SJ407(F) |
Toshiba |
TO-220 NIS |
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MOSFET MOSFET P-Ch 200V 5A Rdson 1 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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2SJ412 |
Toshiba |
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MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，... |
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2SJ412(SM,Q) |
Toshiba |
TO-220 SM |
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MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，漏极连续电流：- 16 A，电... |
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2SJ464(F) |
Toshiba |
TO-220 NIS |
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MOSFET MOSFET P-Ch 100V 18A Rdson 0.09 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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2SJ610(TE16L1,NQ) |
Toshiba |
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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MOSFET MOSFET P-Ch 250V 2A Rdson=2.55Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，封装形式：PW-MOLD，工厂包装数量：2000，... |
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2SJ668(TE16L1,NQ) |
Toshiba |
PW-MOLD |
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MOSFET MOSFET P-Ch 60V 5A Rdson=0.17Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，封装形式：PW-MOLD，工厂包装数量：2000，... |
