Toshiba
|
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) is an independent operating company owned by Toshiba America, Inc., a subsidiary of Toshiba Corporation, Japan's largest semiconductor manufacturer. Toshiba is a global leader in the design and manufacture of high-quality Flash memory-based storage solutions, discrete devices, custom SoCs/ASICs, digital multimedia and imaging products, microcontrollers (MCUs), and wireless components.Toshiba products are ideal for automotive, imaging, LED lighting, mobile, multimedia, and wireless applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM6K25FE | Toshiba | MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 6Pin | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
|
SSM6K25FE(TE85L,F) | Toshiba | ES-6 | 2335 | MOSFET Vds=20V Id=500mA 6Pin | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：0.5 A，电阻汲极/... | ||||||
|
|
SSM6K30FE | Toshiba | ES-6 | MOSFET Vds=20V Id=1.2A 6Pin | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SSM6K31FE | Toshiba | ES-6 | MOSFET Vds=30V Id=2.3A 6Pin | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SSM6K32TU | Toshiba | MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 6Pin | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
|
|
SSM6K32TU(TE85L,F) | Toshiba | ES-6 | 2075 | MOSFET Vds=60V Id=2A 6Pin | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲极/源极... | ||||||
|
|
SSM6K34TU | Toshiba | MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 6Pin | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
|
|
SSM6K34TU(TE85L,F) | Toshiba | ES-6 | 2935 | MOSFET Vds=30V Id=3A 6Pin | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲极/源极... | ||||||
|
|
SSM6L13TU(T5LFT) | Toshiba | MOSFET LOW VOLTAGE MOSFET OPTOCPLR/SOLID STATE | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
SSM6L40TU(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N-Ch FET 30V 1.6A 1V 500mW | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
SSM6N15AFE,LM | Toshiba | ES6 | 4,000 | MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
SSM6N15AFU,LF | Toshiba | US6 | 36,206 | MOSFET SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS | |
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 mA，电阻汲... | ||||||
|
|
SSM6N15FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563 | 3737 | MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SSM6N36FE,LM | Toshiba | ES6 | 4,000 | MOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
SSM6N37FE(TE85L,F) | Toshiba | 3690 | MOSFET N-Ch FET MOS 1.5V Drive 20V 500mA | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：10 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
SSM6N37FE,LM | Toshiba | ES6 | 3,985 | MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V | |
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：10 V，漏极连续电流：250 mA，电阻汲... | ||||||
|
SSM6N48FU,RF | Toshiba | SOT-363 | 3000 | MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.1A 30V -20V | |
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 mA，电阻汲... | ||||||
|
SSM6N55NU,LF | Toshiba | 6-μDFN（2x2） | 2,995 | MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD | |
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
|
SSM6N57NU,LF | Toshiba | 6-μDFN（2x2） | 195,703 | MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS | |
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
|
SSM6N7002BFU,LF | Toshiba | US6 | MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：0.25 ... | ||||||
33/41 首页 上页 [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] 下页 尾页
