Toshiba
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Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) is an independent operating company owned by Toshiba America, Inc., a subsidiary of Toshiba Corporation, Japan's largest semiconductor manufacturer. Toshiba is a global leader in the design and manufacture of high-quality Flash memory-based storage solutions, discrete devices, custom SoCs/ASICs, digital multimedia and imaging products, microcontrollers (MCUs), and wireless components.Toshiba products are ideal for automotive, imaging, LED lighting, mobile, multimedia, and wireless applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TPCL4203(TE85L,F) | Toshiba | 4 片式 LGA（1.59x1.59） | MOSFET Dual N-Ch 24V FET 6A 1.65W 685pF | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch 200V 1.8A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
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TPC8012-H(TE12LQ,M | Toshiba | MOSFET N-ch 200V 1.8A SOP-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 11A Rdson=0.014Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：22... | ||||||
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TPC8017-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET PW TR N-Ch 30V 15A 1.9W 5.1mOhms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8017-H(TE12LQM) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 15A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8018-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET PW TR N-Ch 30V 18A 1.9W 3.5mOhms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 18A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8020-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET N-Ch 30V 13A 23nC 0.0068 Ohms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8020-H(TE12LQM) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-CH 30V, 13A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8021-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 11A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8022-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch V A Rdson=Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8025(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-ch 30V 11A SOP-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC8026(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 13A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8027(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-ch 30V 18A SOP-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC8029(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-ch 30V 18A SOP-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC8030(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-ch 30V 11A SOP-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC8031-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 11A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8031-H(TE12LQM) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 11A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8032-H(TE12LQM) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 15A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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