Toshiba
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Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) is an independent operating company owned by Toshiba America, Inc., a subsidiary of Toshiba Corporation, Japan's largest semiconductor manufacturer. Toshiba is a global leader in the design and manufacture of high-quality Flash memory-based storage solutions, discrete devices, custom SoCs/ASICs, digital multimedia and imaging products, microcontrollers (MCUs), and wireless components.Toshiba products are ideal for automotive, imaging, LED lighting, mobile, multimedia, and wireless applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TPCS8210(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8211(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-ch 20V 6A 0.024 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8212(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-ch 20V 6A 0.024 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8213(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 6A Rdson=0.012Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8214(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 30V 6A Rdson=0.013Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8302(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET P-Ch Dual -20V -6A 0.035 Ohms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8302(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8303(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET P-Ch Dual -20V -5A 0.021 Ohms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连... | ||||||
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TPCS8303(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET MOSFET P-CH Dual 20V, 5A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
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TPCT4201(T2L,B,F) | Toshiba | STP-4 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 6A Rdson=0.0255Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
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TPCT4202(T2L,B,F) | Toshiba | STP-4 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 30V 6A Rdson=0.0305Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，封装形式：STP-4，工厂包装数量：4000，... | ||||||
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TPCT4203(TE12L,E) | Toshiba | STP2 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 6A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 12 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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TPC6003(TE85L,F,M) | Toshiba | VS-6 | 2 | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 6A Rdson=0.024Ohm | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC6004(TE85L,F,M) | Toshiba | VS-6 | MOSFET MOSFET N-Ch 20V 6A Rdson=0.024Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPC6005(TE85L,F,M) | Toshiba | VS-6 | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 6A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPC6006-H(TE85L,F) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET MOSFET N-Ch 40V 3.9A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC6007-H(TE85L,F) | Toshiba | VS-6 | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC6007-H(TE85LFM) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-CH 30V, 5A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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TPC6008-H(TE85L,FM | Toshiba | VS-6（2.9x2.8） | MOSFET N-Ch 30V FET 5.9A 2.2W 232pF | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC6009-H(TE85L,FM | Toshiba | VS-6（2.9x2.8） | MOSFET N-Ch 40V FET 5.3A 2.2W 225pF | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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