NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BUK9E04-30B | NXP Semiconductors | TO-220 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK9E04-30B,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK9E04-40A,127 | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 198A 3Pin(3+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：198 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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BUK9E06-55A,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 154A 3Pin(3+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：154 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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BUK9E06-55B | NXP Semiconductors | TO-220 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：14... | ||||||
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BUK9E06-55B,127 | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：14... | ||||||
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BUK9E08-55B,127 | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(3+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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BUK9E2R4-40C,127 | NXP Semiconductors | MOSFET BUK9E2R4-40C/SOT226/RAILH// | |||
| 参数：制造商：NXP，工厂包装数量：50，... | ||||||
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BUK9E3R2-40B | NXP Semiconductors | TO-220 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK9E3R2-40B,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK9E3R5-30B,127 | NXP Semiconductors | MOSFET 30 V - HPA TRENCHMOS | |||
| 参数：制造商：NXP，工厂包装数量：50，... | ||||||
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BUK9E4R4-40B | NXP Semiconductors | TO-220 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK9E4R4-40B,127 | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK9GTHP-55PJTR,51 | NXP Semiconductors | 28-SO | MOSFET MOSFET N-CH 55V | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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BUK9MJT-55PRF,518 | NXP Semiconductors | 20-SO | MOSFET Dual N-CH TrenchPLUS logic level FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2000，... | ||||||
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BUK9Y07-30B,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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BUK9Y09-40B,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40 V 75 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 mOhm... | ||||||
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BUK9Y09-40B/C,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET | |||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BUK9Y104-100B,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1,500 | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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BUK9Y11-30B,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 59A 5-Pin(4+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：59 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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