NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BUK6C2R1-55C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK-7 | MOSFET N-chan TrenchMOS FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：228 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.7 mOhms，安装... | ||||||
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BUK6C3R3-75C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK-7 | MOSFET N-chan TrenchMOS FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：181 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.4 mOhms，安装... | ||||||
_SOT226-20Pkg.jpg)
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BUK6E2R0-30C,127 | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-CHAN 30V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6E2R3-40C,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-CHAN 40V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6E3R2-55C,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-CHAN 55V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6E3R4-40C,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-CHAN 40V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6E4R0-75C,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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BUK7105-40AIE /T3 | NXP Semiconductors | SOT-426 | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7105-40AIE,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7105-40ATE /T3 | NXP Semiconductors | SOT-426 | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7105-40ATE,118 | NXP Semiconductors | TO-263-5，D2Pak（4 引线 + 接片），TO-263BB | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7107-40ATC /T3 | NXP Semiconductors | SOT-426 | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7107-40ATC,118 | NXP Semiconductors | TO-263-5，D2Pak（4 引线 + 接片），TO-263BB | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7107-55AIE /T3 | NXP Semiconductors | SOT-426 | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7107-55AIE,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7107-55ATE /T3 | NXP Semiconductors | SOT-426 | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7107-55ATE,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7108-40AIE /T3 | NXP Semiconductors | SOT-426 | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7108-40AIE,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BUK7109-75AIE /T3 | NXP Semiconductors | SOT-426 | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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