Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTP1N80P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET Polar Power Mosfet 800V 1A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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IXTP1R4N100P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.4 A，电... | ||||||
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IXTP1R4N120P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.4 A，电... | ||||||
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IXTY44N10T-TRL | IXYS | TO-252AA | MOSFET N-CH 100V 44A TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Trench|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|100 V|44A（Tc）|10V|30 毫欧 @ 22A，10V|4.5V ... | ||||||
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IXTY1N100P-TRL | IXYS | TO-252AA | MOSFET N-CH 1000V 1A TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Polar|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|1000 V|1A（Tc）|10V|15 欧姆 @ 500mA，10V|4.5V... | ||||||
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IXTY4N65X2-TRL | IXYS | TO-252AA | MOSFET N-CH 650V 4A TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Ultra X2|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|650 V|4A（Tc）|10V|850 毫欧 @ 2A，10V|5V @... | ||||||
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IXTY01N100-TRL | IXYS | TO-252AA | MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|1000 V|100mA（Tc）|10V|80 欧姆 @ 50mA，10V|4.5V @... | ||||||
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IXTY1N80P-TRL | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 800V 1A TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Polar|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|800 V|1A（Tc）|10V|14 欧姆 @ 500mA，10V|4V @ ... | ||||||
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IXTT1N250HV | IXYS | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 120 | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268 | |
| 参数：IXYS|管件|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|2500 V|1.5A（Tc）|10V|40 欧姆 @ 750mA，10V|4V @ 250μA... | ||||||
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IXFN220N20X3 | IXYS | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B | |
| 参数：IXYS|管件|HiPerFET?, Ultra X3|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|200 V|160A（Tc）|10V|6.2 毫欧 @ 11... | ||||||
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IXTY1R6N100D2-TRL | IXYS | TO-252AA | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Depletion|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|1000 V|1.6A（Tj）|0V|10 欧姆 @ 800mA，0V|... | ||||||
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IXTP8N65X2 | IXYS | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | ||
| 参数：IXYS|管件|Ultra X2|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|650 V|8A（Tc）|10V|500 毫欧 @ 4A，10V|5V @ 250... | ||||||
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IXTA08N100D2-TRL | IXYS | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Depletion|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|1000 V|800mA（Tj）|0V|21 欧姆 @ 400mA，0V... | ||||||
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IXTY08N100D2-TRL | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Depletion|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|1000 V|800mA（Tj）|0V|21 欧姆 @ 400mA，0V... | ||||||
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IXTY90N055T2-TRL | IXYS | TO-252AA | MOSFET N-CH 55V 90A TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|TrenchT2?|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|55 V|90A（Tc）|10V|8.4 毫欧 @ 25A，10V|4V... | ||||||
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IXTA4N80P-TRL | IXYS | TO-263（D2Pak） | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Polar|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|800 V|3.6A（Tc）|10V|3.4 欧姆 @ 1.8A，10V|5.5... | ||||||
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IXTA1N100P-TRL | IXYS | TO-263（D2Pak） | MOSFET N-CH 1000V 1A TO263 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Polar|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|1000 V|1A（Tc）|10V|15 欧姆 @ 500mA，10V|4.5V... | ||||||
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IXTY2N100P-TRL | IXYS | TO-252AA | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Polar|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|1000 V|2A（Tc）|10V|7.5 欧姆 @ 1A，10V|4.5V @... | ||||||
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IXTA32P05T-TRL | IXYS | TO-263（D2Pak） | MOSFET P-CH 50V 32A TO263 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|TrenchP?|在售|P 通道|MOSFET（金属氧化物）|50 V|32A（Tc）|10V|39 毫欧 @ 16A，10V|4.5V... | ||||||
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IXTY08N100P-TRL | IXYS | TO-252AA | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 | ||
| 参数：IXYS|卷带（TR）|Polar|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|1000 V|800mA（Tc）|10V|20 欧姆 @ 400mA，10V|4... | ||||||
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