Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTP14N60PM | Ixys | TO-220 隔离的标片 | MOSFET Polar MOS | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP152N085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id152 BVdass85 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：152 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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IXTP15N20T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP15N50L2 | Ixys | TO-220-3 | 1,094 | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTP160N04T2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 160 Amps 40V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP160N075T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id160 BVdass75 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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IXTP160N085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP160N10T | Ixys | TO-220-3 | 68 | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTP16N50P | Ixys | TO-220-3 | 105 | MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP170N075T2 | Ixys | TO-220-3 | 100 | MOSFET 170 Amps 75V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：170 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP180N055T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP180N085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTP180N10T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id180 BVdass100 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXTP182N055T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id182 BVdass55 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：182 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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IXTP18N60PM | Ixys | TO-220 隔离的标片 | MOSFET Polar MOS | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP18P10T | Ixys | TO-220-3 | 6,147 | MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP1N100 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：1.5 A，电... | ||||||
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IXTP1N100P | Ixys | TO-220-3 | 582 | MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.2 A，电... | ||||||
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IXTP1N120P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP1N80 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲极... | ||||||
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