Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTP08N100P | Ixys | TO-220-3 | 287 | MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.8 A，电... | ||||||
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IXTP08N50D2 | Ixys | TO-220-3 | 1,828 | MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.8 A，电阻... | ||||||
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IXTP100N04T2 | Ixys | TO-220-3 | 7 | MOSFET 100 Amps 40V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP102N15T | Ixys | TO-220 | MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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IXTP10N60P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP10N60PM | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 5.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：5 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTP10P50P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电... | ||||||
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IXTP110N055P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP110N055T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTP110N055T2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP120N04T2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 120 Amps 40V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP120N075T2 | Ixys | TO-220-3 | 70 | MOSFET 120 Amps 75V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP120P065T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 65 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：- 120 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP12N50P | Ixys | TO-220-3 | 185 | MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP12N50PM | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTP130N065T2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 130 Amps 65V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP130N10T | Ixys | TO-220-3 | 143 | MOSFET MOSFET Id130 BVdass100 | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：130 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXTP140N055T2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 140 Amps 0V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTP140P05T | Ixys | TO-220-3 | 9,804 | MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP14N60P | Ixys | TO-220-3 | 30 | MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲... | ||||||
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