Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTN22N100L | Ixys | SOT-227B | MOSFET 22 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻... | ||||||
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IXTN30N100L | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 30 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻... | ||||||
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IXTN320N10T | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 320 Amps 100V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXTN32P60P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：350 ... | ||||||
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IXTN36N50 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 36 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTN40P50P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 39 | MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 40 A... | ||||||
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IXTN44N50L | Ixys | MOSFET 44 Amps 500V | |||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTN46N50L | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 44 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：46 A，电阻汲... | ||||||
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IXTN60N50L2 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 155 | MOSFET 60 Amps 500V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTN62N50L | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 62 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：62 A，电阻汲... | ||||||
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IXTN79N20 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 79 Amps 200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTN8N150L | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 8 Amps 1500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXTN90N25L2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 90 Amps 250V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP01N100D | Ixys | TO-220-3 | 372 | MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.1 A，电... | ||||||
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IXTP02N50D | Ixys | TO-220-3 | 50 | MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.2 A，电阻... | ||||||
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IXTP05N100 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.75 A，... | ||||||
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IXTP05N100M | Ixys | TO-220-3 | 900 | MOSFET 0.5 Amps 1000V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTP05N100P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on) | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTP06N120P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.6 A，电... | ||||||
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IXTP08N100D2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.8 A，电... | ||||||
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